作為目前SSD和多數(shù)存儲(chǔ)設(shè)備的技術(shù)基礎(chǔ)，閃存顆粒的價(jià)格隨著技術(shù)的進(jìn)步必然是朝著更加低廉的方向前進(jìn)的。不久的過(guò)去，當(dāng)TLC閃存面世之后，曾經(jīng)引發(fā)過(guò)一場(chǎng)持續(xù)至今的爭(zhēng)論。而就在我們還沉浸在MLC還是TLC的選擇問(wèn)題時(shí)，更加“喪心病狂”的QLC閃存已經(jīng)來(lái)到了我們的面前。我們剛剛拿到了一款來(lái)自三星的860QVO 容量為1TB，這是三星首款QLC閃存顆粒的SSD產(chǎn)品。那么它的表現(xiàn)究竟如何呢？
860QVO是三星首款QLC閃存的產(chǎn)品，考慮到QLC的特性，所以為了實(shí)現(xiàn)比較高的性能，三星選擇了大容量策略，容量1TB起步，最高達(dá)到4TB。
目前上市的僅有2.5英寸SATA3接口的版本，M.2接口和MSATA接口的版本暫未上市。
拆開(kāi)外殼我們可以看到這款容量高達(dá)1TB的SSD產(chǎn)品僅采用了一塊大小僅相當(dāng)于兩張多一點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)SD卡大小的PCB。而更夸張的是使用單芯片封裝實(shí)現(xiàn)了1TB的容量。
這顆64層堆疊的4bit MLC（QLC）NAND芯片的容量達(dá)到了1TB！官方質(zhì)保的壽命為360TBW或三年，也就是360次全盤寫入，是相同容量860EVO 600TBW的一半。但如果算下來(lái)的話，每天的寫入量需要達(dá)到328GB才可以在三年內(nèi)消耗完，這樣的壽命很顯然還是非常夠用的。
背部還預(yù)留了一個(gè)空焊的位置，估計(jì)2TB版本將共享同款PCB。
主控采用了三星的MJX主控，基于ARM架構(gòu)，與860evo使用的為同系列產(chǎn)品。
860QVO采用了一顆1GB的DDR4緩存。除此之外，三星還準(zhǔn)備了6GB的模擬SLC緩存和36GB-72GB的智能緩存來(lái)保證日常速度。
官方標(biāo)稱數(shù)據(jù)方面，1TB版的持續(xù)讀取性能為550MB/s，持續(xù)寫入性能為520MB/s。4K隨機(jī)讀寫（QD32）性能達(dá)到96K和86K IOPS。
;){kind=link}